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第十四届FMS美国闪存峰会:全球闪存堆栈的崛起与争锋!

【记者转译自美国EE Times《电子时报》新闻】8月7日,美国专业媒体《电子时报》(EE Times)撰文对美国闪存峰会现场进行了报道,全文如下 :

三星,SK海力士等跨越百层堆栈里程碑

在近期的第14届美国闪存峰会(FMS)上,NAND供应商和合作伙伴之间争锋不断,三星和SK海力士首当其冲,称将在今年推出100层以上的3D芯片,与此同时,东芝?#29366;?#25512;出低延迟NAND以期杀进DRAM市场。

以上官宣作为今年美国闪存峰会上少有的亮点之一,吸引了众多人群的目光。与此同时,SK海力士和西部数据都在演讲中提及将软件作为下一个扩展存储的重要杠杆,大会展场上充斥着第四代PCIe SSD和各种存储加速器。

在存储市场,NAND的价格急剧下滑基本接近低谷。在过去的两年里,存储需求激增和价格的上涨,部分归因于超大规模企业的高支出,触发了芯片制造商的巨额?#26102;?#25237;资,这也导致?#22235;?#21069;的供过于求。

Objective Analysis分析师Jim Handy表示,三星等企业始终认为市场?#27492;?#21363;将到来,但却不知道当前情况何时结束。与此同时,供应商正在发售96层3D NAND芯片,并转向128层产品。Handy称,所有的芯片制造商都认为自己可以做500层的芯片。

Forward Insights分析师Gregory Wong则更看好内存市场。他看到分销商的NAND价格已经上涨。并称,市场正在迎来拐点?,因此今年的第三季度可能会触底。

三星官宣其正在生产100层以上,基于256Gbit TLC NAND的 250GB SSD,采用双层堆栈设计,分别支持450和45微秒以下的写入和读取延迟,比前一代速度提升10%,同时功耗降低15%。

这?#20013;?#29255;采用了6.7亿个硅通孔,相比前一代的9.3亿个大大减少,旨在采用更少的工艺制造更小的芯片。三星预计,大约一年内自身将采用三层堆栈设计,发售超过300层的512Gbit NAND芯片,并承诺今年年?#23383;?#21069;,在SSD内配置一些512 Gbit的芯片。

为了保持?#38477;?#19968;致,SK海力士称将在年底前推出Tbit级 3D NAND芯片。芯片采用128层堆栈并在闪存单元下封装外围电路。8个裸片(die)能让一个11.5*13mm的TByte模块厚度仅为1毫米。

东芝加入低延迟NAND竞争

东芝推出每单元存储单字节的XL-Flash,将支持5微秒以下的读取延迟,支持8个裸片(单个容量128 Gbit)封装,9月份芯片采样,明年将批量发售。XL-Flash采用16-plane设计,?#26432;?#27604;DRAM和英特尔Optane内存低,当然速度也都不如两者快。其在东芝存储重新整合后(2019年10月正式更名Kioxia中文名铠侠)进入市场。和英特尔Optane和三星Z-NAND相同,东芝XL-Flash旨在填补DRAM和NAND之间的空白区域。芯片最初将以SSD形式发售,但东芝存储希望其最终可扩展为DRAM总线上的存储设备。

基于PMC(现Microchip)的控制器芯片和技术方案,中国闪存初创公司Memblaze作为其中国地区的代表,是东芝14家XL-Flash合作伙伴之一,将率先推出配置这些芯片的SSD。Memblaze表示,其PBlaze5 X26系列SSD将具有20微秒以下的混合读写延迟,并在介质上划分命名空间来提升MySQL性能。

也有分析师认为,低延迟内存将成为一个相对较小的利基市场。Handy表示,东芝XL-Flash和三星Z-NAND将存储分?#38378;?#26356;小的阵列块,拥有更多的传感放大器(sense amps)来支持更多的并行性,从而加快响应速度。不过,XL-Flash拥有比NAND更大的裸片,因此价格更昂贵。

迄今为止,英特尔已售出近千万个Optane SSD,主要用于超大规模企业。Handy称短期来看,英特尔可能会在2023年发售价值35亿美元的Optane产品。在他撰写的一份报告中曾预测,2029年,所有新兴存储器市场规模可能达到200亿美元。而Optane预计将达到160亿美元,其余部分由MRAM和RRAM组成。其中,MRAM旨在取代28nm节点及以下的NOR闪存。该报告不包含NAND变体XL-Flash或Z-NAND的预测。

另外,东芝宣布推出XFM Express,14*18mm NAND封装,?#23548;?#19978;是M.2和BGA封装尺寸之间的可插拔BGA。未来其将支持2到4个PCIe Gen3/4通道,用于笔记本,游戏机和汽车。此外,一位东芝的SSD高管还提及,服务器存储卡外?#25105;?#26159;分化极为?#29616;亍?/p>

东芝和SK海力士宣布它们的第一款SSD支持PCIe Gen 4。东芝预计,明年性能匮乏的服务器将开始采用Gen 4驱动器,然后就是2021年的笔记本和2023年要求更为严格?#29616;?#30340;存储?#20302;场?/p>

关于中国闪存发展、新的加速器和软件

存储初创公司Pliops推出了一款在赛灵思(Xilinx)FPGA卡上运行的存储加速器,据称将在今年年底前推出。在“计算存储”大行其道的如今,它是众多加速器中最为突出的一个。Pliops加速器承?#23548;?#23569;一半的CPU存储周期,同时提升写入速度,使MySQL事务处理速度提升七倍,旨在取代如Facebook等企业使用的RocksDB等软件。迄今为止,Pliops从英特尔,迈络思,西部数据和赛灵思等公司融资4500万美元。两位创始人是三星以色列公司的SSD控制器设计团队技术经理。公司的融资和发展表明ASIC已经不再遥远。

西部数据和SK海力士的高管们都表示,软件将成为下一个采用名为区域名称空间(ZNS)加速NAND性能的重要杠杆。西部数据数据中心&设备市场部总经理Christopher Bergey称,ZNS可以将SSD所需的DRAM减8倍,并将所需存储容量缩小10倍,同时实现虚拟化。西部数据和SK海力士都在大会中演示了原型ZNS产品。对于SK海力士而言,此举是其努力扩展到早先竞争对手所?#24403;?#30340;SSD,SSD控制器和软件领域计划的一部分。 一位SK海力士高管称,ZNS可以减少数据碎片,将SSD寿命延长至67%,并在混合工作负载中将QoS提升25%。

关于中国,考虑到中美贸易战的紧张?#36136;疲?#22269;产NAND闪存厂商长江存储没有和去年一样参与本?#26410;?#20250;的主题演讲。据称,长江存储会?#29992;?#26376;生产20000片晶圆的产品线中对其64层产品进行抽样试验。而参与FMS的国内技术专家也表示,中国希望在DRAM市场处于领先地位,?#29992;?#24180;初长鑫存储发布的8Gbit DDR4芯片会是一次验证。

中国领先NOR闪存供应商之一Gigadevice(兆?#29366;?#26032;)战略顾问,Michael Wang称,我们?#33455;?#24515;在闪存方面取?#23186;?#23637;,新的NAND产品会很快面市。

FMS设立有中国专场。中国专场主席、华澜微CEO骆建军先生还表示,随着全球经?#27809;?#36890;互惠的发展,闪存业者必然会加强交流合作,明年的美国闪存峰会将会更加扩大。同时,中国也在积极融入全球市场、提供技术方案共谋存储产业发展。如果大家想和长江存储谈一谈,欢迎到中国来,参加8月22-23日在中国杭州举办的“闪存加速数字经济”为主题的年度闪存盛会——全球闪存峰会(Flash Memory World)。美国闪存峰会也支持和欢迎大?#19994;?#26477;州参与其中。

未经?#24066;?#19981;得转载:存储在线 » 第十四届FMS美国闪存峰会:全球闪存堆栈的崛起与争锋!
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